A carga fica entre +VCC e o dreno; o MOSFET comuta a corrente para o GND.
1
IN = LOW (0 V)
VGS = 0 V, o MOSFET entra em corte e a carga permanece desligada.
2
IN = HIGH (3,3 V)
O gate recebe tensão, o MOSFET conduz e a corrente passa pela carga.
Q1 — MOSFET N-Channel
IRLZ44N ou equivalente logic level
IRLZ44N ou equivalente logic level
R1 — Resistor
100 Ω
100 Ω
D1 — Flyback
1N4007 ou adequado à carga
1N4007 ou adequado à carga

Carga indutiva
Dimensionado conforme o projeto
Dimensionado conforme o projeto

O GPIO fornece somente o sinal de controle. A corrente da carga utiliza uma fonte externa corretamente dimensionada.
| VDS | Superior à tensão da carga |
| ID | Superior à corrente da carga |
| RDS(on) | Verificar em VGS = 3,3 V |
| Dissipação | P ≈ I² × RDS(on) |
| Proteção | Diodo em carga indutiva |
Para o ESP32, escolha MOSFET “logic level” com baixa RDS(on) especificada perto de 3,3 V. O valor máximo de corrente do anúncio nunca substitui o cálculo térmico.
Relés
Motores DC
Iluminação
Bombas e solenoides
Controle PWM
Controle digital e PWM da carga
const int PINO_MOSFET = 25;
void setup() {
ledcAttach(PINO_MOSFET, 5000, 8); // 5 kHz, 8 bits
ledcWrite(PINO_MOSFET, 0); // carga desligada
}
void loop() {
ledcWrite(PINO_MOSFET, 255); // 100%
delay(2000);
ledcWrite(PINO_MOSFET, 128); // aproximadamente 50%
delay(2000);
ledcWrite(PINO_MOSFET, 0); // desligada
delay(2000);
}Atenção: mantenha GND comum, use fonte adequada à carga e nunca conecte relé, motor ou solenoide diretamente ao GPIO do ESP32. Confirme VDS, ID, RDS(on), temperatura e dissipação.
Chaveamento no lado negativo
Em uma configuração comum com MOSFET canal N, a carga fica entre o positivo da fonte e o dreno. O source vai ao GND e o gate recebe o comando.
- Resistor em série no gate reduz picos de corrente.
- Resistor pull-down mantém o MOSFET desligado no boot.
- Cargas indutivas exigem diodo ou supressor adequado.
Escolha do componente
Prefira MOSFET logic level, cuja resistência de condução seja especificada para a tensão real do GPIO, por exemplo 3,3 V.
| Parâmetro | Verificação |
|---|---|
| VDS | Maior que a tensão da carga, com margem |
| ID | Maior que a corrente da carga |
| RDS(on) | Baixa na tensão de gate disponível |